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AOP804L	文件：117.05 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOP804usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAOP804isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOP804LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AT804	文件：45.12 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto1600V Meanon-statecurrent985A Surgecurrent12.5kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
ATTINY804	文件：3.8707 Mbytes Page：522 Pages	tinyAVR짰0-series	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
BB804	文件：60.77 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForFMtunersMonolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes) SiliconVariableCapacitanceDiode ●ForFMtuners ●Monolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes ●Uniformsquarelawcharacteristics ●IdealHifituningdevicewhenusedinlow-distortion,back-to-backconfiguration	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BB804	文件：47.4 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDualCapacitanceDiode Features •SiliconEpitaxialPlanarDiode •Commoncathode •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Tuningofseparateresonantcircuits, push-pullcircuitsinFMrange, especiallyforcarradios MechanicalData Case:SOT-23	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BB804	文件：408.52 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode SiliconVariableCapacitanceDiode •ForFMtuners •Monolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes •Uniformsquarelawcharacteristics •IdealHiFituningdevicewhenusedinlow-distortion,back-to-backconfiguration •Pb-free(ROHScompliant)package1) •Qualif	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB804	文件：61.7 Kbytes Page：5 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB804	文件：58.78 Kbytes Page：8 Pages	VHFvariablecapacitancedoublediode DESCRIPTION TheBB804isavariablecapacitancedoublediodewithacommoncathode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOT23smallplasticSMDpackage. FEATURES •Selectedcapacitancerange •SmallplasticSMDpackage •C8:26pF;ratio:1.7 •Lowseriesresistance. AP	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB804W	文件：58.78 Kbytes Page：8 Pages	VHFvariablecapacitancedoublediode DESCRIPTION TheBB804isavariablecapacitancedoublediodewithacommoncathode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOT23smallplasticSMDpackage. FEATURES •Selectedcapacitancerange •SmallplasticSMDpackage •C8:26pF;ratio:1.7 •Lowseriesresistance. AP	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF804	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteSemiconductors DiscretsSemiconductors FETsForVHFAmplifiersandMixers ForLowNoiseAmplifiers Lowleakage/NoiseCurrent DualGateMosfets(NChannelDepletion) Lowleakge	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI

详细参数

型号：
AOP804L
制造商：
AOSMD
制造商全称：
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述：
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更多AOP804L供应商更新时间2025-4-30 15:30:00

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