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AON7408	文件：242.69 Kbytes Page：4 Pages	丝印：7408；Package：DFN-83x3；30V N-Channel MOSFET General Description The AON7408 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in general purpose applications. Features VDS(V) = 30V ID= 23A (VGS= 10V) RDS(ON) 文件：242.69 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON7408	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 30V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AON7408L	文件：242.69 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AON7408 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in general purpose applications. Features VDS(V) = 30V ID= 23A (VGS= 10V) RDS(ON) 文件：242.69 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
DM7408	文件：32.92 Kbytes Page：3 Pages	Quad 2-Input AND Gates General Description This device contains four independent gates each of which performs the logic AND function. 文件：32.92 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
DM7408N	文件：92.47 Kbytes Page：4 Pages	Quad 2-Input AND Gates 文件：92.47 Kbytes 页数：4 Pages	NSC 国半	NSC
DM7408N	文件：32.92 Kbytes Page：3 Pages	Quad 2-Input AND Gates General Description This device contains four independent gates each of which performs the logic AND function. 文件：32.92 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
AON7408
功能描述：
MOSFET N CH 30V 23A DFN3X3EP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多AON7408供应商更新时间2025-11-29 14:29:00

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