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AON7401	文件：188.3 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON7401/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AON7401 and AON7401L are electrically identical. -RoHS Compliant -AON74 文件：188.3 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON7401	文件：221.39 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：221.39 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON7401	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
AON7401	文件：300 bytes Page：1 Pages	PDFN3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS	XW 芯微半导体	XW
AON7401	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管MOSFET	MSKSEMI 美森科	MSKSEMI
AON7401L	文件：188.3 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON7401/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AON7401 and AON7401L are electrically identical. -RoHS Compliant -AON74 文件：188.3 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON7401_12	文件：221.39 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：221.39 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

ID/A：
50
VDS/V：
30
RDS(on)/mΩ：
9
VGS/V：
20
VGS(th)/V：
1.0-3.0
N/P：
P

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更多AON7401供应商更新时间2026-4-17 10:02:00

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