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AON7400	文件：160.61 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAON7400usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinDC-DCconvertersandLoadSwitchapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON7400	文件：205.44 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON7400A	文件：177.02 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAON7400AcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).ThisdeviceissuitableforuseasahighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VDS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON7400B	文件：77.39 Kbytes Page：1 Pages	DFN3X3 PACKAGE MARKING DESCRIPTION DFN3X3PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON7400_11	文件：205.44 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AZ7400	文件：698.07 Kbytes Page：20 Pages	ML(AZ7)LimitSwitch	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
CG7400	文件：704.8 Kbytes Page：4 Pages	TheLittelfuseCG7seriesGDTisaminiaturesurfacemountdevicewitha1kA8/20關Ssurgerating	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
CHM7400SPT	文件：211.11 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT2.8Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-88) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitch	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CU7400	文件：163.76 Kbytes Page：1 Pages	TelephoneExtensionSocket DESCRIPTIONTelephoneExtensionSocket	KNIGHTSBRIDGE ML Accessories Limited.	KNIGHTSBRIDGE
DA7400	文件：2.1305 Mbytes Page：135 Pages	HighPerformanceStereoCodecFinal	DialogDialog Semiconductor 戴乐格	Dialog

详细参数

型号：
AON7400
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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