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AON6922	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Dual-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AON6922	文件：393.06 Kbytes Page：10 Pages	25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET 文件：393.06 Kbytes 页数：10 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AP6922GMT-HF	文件：135.68 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirement, Easy for Synchronous Buck Converter Application 文件：135.68 Kbytes 页数：7 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
BD6922FV	文件：390.34 Kbytes Page：6 Pages	Driver For 3Phase Blushless Motor 文件：390.34 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
F6922	文件：127.28 Kbytes Page：3 Pages	Dual-Channel Low Noise Amplifier 17.7 ??21.2 GHz 文件：127.28 Kbytes 页数：3 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
AON6922
功能描述：
MOSFET 2N-CH 25V 71/85A DFN5X6A
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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