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AON6924

低压MOSFET (12V - 30V)

Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术制造出性能领先的低压MOSFET。这些产品为DCDC、负载开关、BLDC及电源等应用量身定做。

AOS

美国万代

AON6924

30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET

文件:440.28 Kbytes 页数:11 Pages

AOSMD

万国半导体

AP6924GEY

N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Low On-Resistance ▼ Fast Switching Characteristic ▼ Included Schottky Diode

文件:77.33 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

EVAL6924D

EVAL6924D Battery charger system with integrated Power Switch for Li-ION/Li-POLYMER

文件:114.95 Kbytes 页数:4 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

GT6924E

N-CHANNEL MOSFET WITH SWITCHING DIODE

文件:275.09 Kbytes 页数:4 Pages

GTM

勤益投资控股

详细参数

  • 型号:

    AON6924

  • 功能描述:

    MOS N CH DL 30V 60A 85A DFN5X6A

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多AON6924供应商 更新时间2025-10-5 11:04:00