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AON6924	文件：440.28 Kbytes Page：11 Pages	30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
6924	文件：330.77 Kbytes Page：12 Pages	ProjectedBeamTypeSmokeDetector	SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas. Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR
AEC-6924	文件：289.45 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedFanlessEmbeddedControllerWithIntelCore2DuoProcessor	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
AM6924NHE	文件：323.1 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP6924GEY	文件：77.33 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELMOSFETWITHSCHOTTKYDIODE Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼LowOn-Resistance ▼FastSwitchingCharacteristic ▼IncludedSchottkyDiode	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
EVAL6924D	文件：114.95 Kbytes Page：4 Pages	EVAL6924DBatterychargersystemwithintegratedPowerSwitchforLi-ION/Li-POLYMER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GT6924E	文件：275.09 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELMOSFETWITHSWITCHINGDIODE	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GT6924E	文件：278.97 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELMOSFETWITHSCHOTTKYDIODE	ETL E-Tech Electronics LTD	ETL
KIA6924S	文件：295.9 Kbytes Page：12 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(AUDIOMUTINGSYSTEM) AUDIOMUTINGSYSTEM KIA6924SisdesignedformutingthepoppingsoundmadeatpowerofON-OFFreceivers,pre-amplifiers,mainamplifiers,andotherelectricaudioequipmentaswellasthenoisemadeatchangeoverofswitches. FEATURES •Tomutethepoppingnoisemadeinthecaseofreceivingfr	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
L6924D	文件：73.99 Kbytes Page：5 Pages	Li-Ion/Li-PolymerBatteryChargerSystemwithIntegratedPowerSwitch Features ■Fullyintegratedsolution,withapowerMOSFET,reverseblockingdiode,senseresistor,andthermalprotection ■Idealforcokeandgraphiteanodesingle-cellLI-IONpacks ■Bothlinearandquasi-pulseoperation ■Closedloopthermalcontrol ■USBBUS-compatible ■Programmablecha	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
L6924D	文件：1.40839 Mbytes Page：38 Pages	BatterychargersystemwithintegratedpowerswitchforLi-ION/Li-POLYMER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
L6924U	文件：600.56 Kbytes Page：38 Pages	USBcompatiblebatterychargersystemwithintegratedpowerswitchforLi-Ion/Li-Polymer Description TheL6924Uisafullymonolithicbatterychargerthatsafelychargessingle-cellLi-Ion/PolymerbatteryfromeitheranUSBpowersourceoranACadapter.InUSBmode,theL6924Usupportsbothlowpowerandhighpowermode.AlternativelythedevicecanchargefromanACwalladapter.T	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
L6924U	文件：828.24 Kbytes Page：37 Pages	USBcompatiblebatterychargersystemwithintegratedpowerswitchforLi-Ion/Li-Polymer	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
L6924UTR	文件：828.24 Kbytes Page：37 Pages	USBcompatiblebatterychargersystemwithintegratedpowerswitchforLi-Ion/Li-Polymer	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MP6924GS	文件：325.4 Kbytes Page：5 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationEVBoard	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
SI6924AEDQ	文件：52.31 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel2.5-V(G-S)BatterySwitch,ESDProtection	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI6924AEDQ	文件：119.72 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel2.5-V(G-S)BatterySwitch,ESDProtection FEATURES •Halogen-free •LowRDS(on) •VGSMaxRating:14V •Exceeds2kVESDProtection •28VVDSRated •SymmetricalVoltageBlocking(OffVoltage) DESCRIPTION TheSi6924AEDQisadualN-ChannelMOSFETwithESD protectionandgateover-voltageprotectioncircuitry incorporatedint	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI6924EDQ	文件：49.26 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel2.5-V(G-S)BatterySwitch,ESDProtection	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
STM6924	文件：188.41 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SufaceMountPackage.	Samhop 三合微科	Samhop
STM6924	文件：1.92015 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
AON6924
功能描述：
MOS N CH DL 30V 60A 85A DFN5X6A
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	AON6924	AOS/万代	20+	DFN5x6A	120000	原装正品可含税交易	询价
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