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AON6918	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Dual-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AON6918	文件：400.25 Kbytes Page：10 Pages	25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET 文件：400.25 Kbytes 页数：10 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
L6918	文件：760.66 Kbytes Page：35 Pages	5 BIT PROGRAMMABLE MULTIPHASE CONTROLLER DESCRIPTION L6918A is a master device that it has to be combined with the L6918,slave, realizing a 4-phases topology, interleaved. The device kit is specifically designed to provide a high performance/high density DC/DC conversion for high current microprocessors and distributed power. Each devic 文件：760.66 Kbytes 页数：35 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6918A	文件：760.66 Kbytes Page：35 Pages	5 BIT PROGRAMMABLE MULTIPHASE CONTROLLER DESCRIPTION L6918A is a master device that it has to be combined with the L6918,slave, realizing a 4-phases topology, interleaved. The device kit is specifically designed to provide a high performance/high density DC/DC conversion for high current microprocessors and distributed power. Each devic 文件：760.66 Kbytes 页数：35 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6918AD	文件：760.66 Kbytes Page：35 Pages	5 BIT PROGRAMMABLE MULTIPHASE CONTROLLER DESCRIPTION L6918A is a master device that it has to be combined with the L6918,slave, realizing a 4-phases topology, interleaved. The device kit is specifically designed to provide a high performance/high density DC/DC conversion for high current microprocessors and distributed power. Each devic 文件：760.66 Kbytes 页数：35 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
AON6918
功能描述：
MOSF 2N CH 25V 60/85A DFN5X6A
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
*
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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