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AO4406A	文件：1.51183 Mbytes Page：5 Pages	丝印：AO4406；Package：SOP-8；11N06C 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features VDS = 30V ID =12 A RDS(ON) 文件：1.51183 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4406A	文件：1.31775 Mbytes Page：5 Pages	丝印：AO4406；Package：SOP-8；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AO4406A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 30V ID =12 A RDS(ON) 文件：1.31775 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4406A	文件：333.74 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO4406A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications. Product Summary VDS 30V ID(at VGS=10V) 13A RDS(ON)(at VGS=10V) 文件：333.74 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4406A	文件：1.75377 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 13 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.75377 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4406A-HF	文件：2.07382 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 13 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.07382 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4406AL	文件：158.12 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4406AL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications. Features VDS(V) = 30V ID= 12A (VGS= 10V) RDS(ON) 文件：158.12 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4406-HF	文件：1.95471 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 11.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.95471 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4407	文件：2.34719 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-12 A (VGS =-20V) ● RDS(ON) 文件：2.34719 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4407	文件：168.67 Kbytes Page：4 Pages	丝印：4407；Package：SO-8；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4407 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications) 文件：168.67 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4407	文件：2.81335 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET Features VDS (V) =-30V ID =-12 A (VGS =-20V) RDS(ON) 文件：2.81335 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI

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技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
50
4.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
-6
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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