AO4406A中文资料万国半导体数据手册PDF规格书
AO4406A规格书详情
General Description
The AO4406A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications.
Product Summary
VDS 30V
ID(at VGS=10V) 13A
RDS(ON)(at VGS=10V) < 11.5mΩ
RDS(ON)(at VGS= 4.5V)
产品属性
- 型号：
AO4406A
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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