AO4404B中文资料万国半导体数据手册PDF规格书
AO4404B规格书详情
General Description
The AO4404B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance. Standard Product AO4404B is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
特性 Features
VDS (V) = 30V
ID = 8.5A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 30mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
产品属性
- 型号：
AO4404B
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
24+ |
SOP |
22048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
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24+ |
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30000 |
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AOS/万代 |
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SOIC-8L |
66000 |
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AOS/万代 |
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AOS/万代 |
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AOS/万代 |
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SOP-8 |
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AO |
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SOP-8 |
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AOS/万代 |
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AOS/万代 |
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SOP-8 |
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AOS |
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SOIC-8L |
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询价 |
