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AO4404B	文件：115.93 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4404B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to th 文件：115.93 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4404B	文件：2.24451 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 8.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.24451 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4404B	文件：1.00653 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.00653 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4404B	文件：2.77684 Mbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO4404B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device makes an excellent high side switch for notebook CPU core DC-DC conversion. Product Summary VDS 文件：2.77684 Mbytes 页数：6 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4404B	文件：566.73 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：566.73 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4404B-HF	文件：2.67175 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 8.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.67175 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4404B_11	文件：566.73 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：566.73 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4404B	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 30V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
24
4.5V：
30
2.5V：
48
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
8.50
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
6
VGS(th) max (V)：
1.45
Ciss (pF)：
630
Coss (pF)：
75
Crss (pF)：
50
Qgd (nC)：
1.80
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
25
Trr (ns)：
8.50
Qrr (nC)：
2.60
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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