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AO4408-HF	文件：1.59912 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 12 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.59912 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4408L	文件：122.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4408 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and fast switching. This device makes an excellent high side switch for notebook CPU core DC-DC conversion. AO4408L(Green Product) is offered in a lead-free package. Features VDS (V) 文件：122.56 Kbytes 页数：5 Pages	ALPHA	ALPHA
AO4409	文件：262.9 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS -30V ID(at VGS=-10V) -1 文件：262.9 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4409	文件：1.38133 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-15 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.38133 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4409	文件：365.45 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4409；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET General Description The AO4409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -30V ID = -15 A Max RDS(ON) 文件：365.45 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4409	文件：654.15 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4409；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -15 A Max RDS(ON) 文件：654.15 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4409	文件：1.19956 Mbytes Page：3 Pages	丝印：4409；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES -30V/-15A Rosion) =6-8MQ(Max.) @ Vg =-10V Roson =13MQ(Max) @ V,, =-4.5V 文件：1.19956 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4409	文件：2.17975 Mbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. * RoHS and Halogen-Free Compliant Product Summary VDS -30V 文件：2.17975 Mbytes 页数：5 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4409	文件：1.83295 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switch • Notebook Adaptor Switch 文件：1.83295 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4409-HF	文件：1.83286 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-15 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.83286 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
50
4.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
-6
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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