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AO4406A中文资料翊欧数据手册PDF规格书

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厂商型号

AO4406A

功能描述

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

AO4406

封装外壳

SOP-8

文件大小

1.31775 Mbytes

页面数量

5

生产厂商

EVVOSEMI

中文名称

翊欧

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 19:00:00

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AO4406A规格书详情

描述 Description

The AO4406A uses advanced trench technology

to provide excellent RDS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as 4.5V. This

device is suitable for use as a

Battery protection or in other Switching application.

General Features

VDS = 30V ID =12 A

RDS(ON) < 13mΩ @ VGS=10V

Application

Battery protection

Load switch

Uninterruptible power supply

产品属性

  • 型号:

    AO4406A

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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