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AO4401	文件：359.14 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -30V ID = -6.1 A RDS(ON) 文件：359.14 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4401	文件：1.50239 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -30V, ID= -5.1A RDS(ON) 文件：1.50239 Mbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
AO4401	文件：959.25 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：959.25 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4402	文件：2.55261 Mbytes Page：6 Pages	20V N-Channel MOSFET General Description The AO4402 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS 20V ID (a 文件：2.55261 Mbytes 页数：6 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4402	文件：1.85665 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4402；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Application + PWM Applications « Load Switch 文件：1.85665 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4402	文件：280.68 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel MOSFET General Description The AO4402 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = 30V ID = 12A RDS(ON) 文件：280.68 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4402	文件：1.51386 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 20 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.51386 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4402-HF	文件：1.86544 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 20 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.86544 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4403	文件：1.40456 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-6 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.40456 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4403	文件：443.74 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS -30V 文件：443.74 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
50
4.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
-6
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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