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STW3N170	文件：740.64 Kbytes Page：14 Pages	Marking：3N170；Package：TO-247；N-channel 1700 V, 7 Ω typ., 2.6 A PowerMESH™ Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Features IntrinsiccapacitancesandQgminimized Highspeedswitching 100avalanchetested Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETisdesignedusingthe STMicroelectronicsconsolidatedstrip-layoutbased MESHOVERLAY™process.Theresultis aproduct	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW3N170	文件：740.64 Kbytes Page：14 Pages	Marking：3N170；Package：TO-247；N-channel 1700 V, 7 Ω typ., 2.6 A PowerMESH™ Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Features IntrinsiccapacitancesandQgminimized Highspeedswitching 100avalanchetested Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETisdesignedusingthe STMicroelectronicsconsolidatedstrip-layoutbased MESHOVERLAY™process.Theresultis aproduct	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STWA3N170	文件：740.64 Kbytes Page：14 Pages	Marking：3N170；Package：TO-247；N-channel 1700 V, 7 Ω typ., 2.6 A PowerMESH™ Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Features IntrinsiccapacitancesandQgminimized Highspeedswitching 100avalanchetested Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETisdesignedusingthe STMicroelectronicsconsolidatedstrip-layoutbased MESHOVERLAY™process.Theresultis aproduct	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STWA3N170	文件：740.64 Kbytes Page：14 Pages	Marking：3N170；Package：TO-247；N-channel 1700 V, 7 Ω typ., 2.6 A PowerMESH™ Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Features IntrinsiccapacitancesandQgminimized Highspeedswitching 100avalanchetested Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETisdesignedusingthe STMicroelectronicsconsolidatedstrip-layoutbased MESHOVERLAY™process.Theresultis aproduct	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AP3N1R0MT	文件：74.09 Kbytes Page：6 Pages	Marking：3N1R0；Package：PMPAK5x6；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP3N1R7CYT	文件：70.64 Kbytes Page：6 Pages	Marking：3N1R7C；Package：PDFN3.3x3.3；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP3N1R7MT	文件：73.95 Kbytes Page：6 Pages	Marking：3N1R7；Package：PMPAK5x6；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP3N1R8MT	文件：73.74 Kbytes Page：6 Pages	Marking：3N1R8；Package：PMPAK5x6；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP3N1R8MT-L	文件：79.9 Kbytes Page：6 Pages	Marking：3N1R8；Package：PMPAK5x6L；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP3N1R8P	文件：112.87 Kbytes Page：6 Pages	Marking：3N1R8；Package：TO-220；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER

详细参数

型号：
3N1
制造商：
NJSEMI
制造商全称：
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
功能描述：
NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	3N1F5000010	HIT	04+		2145	全新原装进口自己库存优势	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	3N163	Vishay	23+	TO72	19567		询价
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