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2ST5949	文件：144.79 Kbytes Page：8 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Description The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour. Features ■ High breakdown voltage VCEO = 250 V ■ Complementary to 2ST2121 ■ Fast-switching speed ■ Typi 文件：144.79 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2ST5949	文件：145.07 Kbytes Page：8 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Description The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour. Features ■ High breakdown voltage VCEO = 250 V ■ Complementary to 2ST2121 ■ Fast-switching speed ■ Typi 文件：145.07 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2ST5949	文件：300 bytes Page：1 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor	ST 意法半导体	ST
2ST5949	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 17A TO3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2ST5949_0807	文件：145.07 Kbytes Page：8 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Description The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour. Features ■ High breakdown voltage VCEO = 250 V ■ Complementary to 2ST2121 ■ Fast-switching speed ■ Typi 文件：145.07 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
2ST5949
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN 250V 17A TO3

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