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2STW1693 | High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Description The device is a PNP transistor manufactured in low voltage planar technology using base island layout. The resulting transistor shows good gain linearity coupled with low VCE(sat) behaviour. Recommended for 40W to 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage. Featur 文件：213.31 Kbytes 页数：10 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
2STW1693 | High power PNP epitaxial planar bipolar transistor 文件：152.18 Kbytes 页数：9 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
2STW1693 | High power PNP epitaxial planar bipolar transistor | ST 意法半导体 | ST | |
2STW1693 | Package：TO-247-3；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 80V 6A TO247-3 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor 文件：152.18 Kbytes 页数：9 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号：
2STW1693
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 600mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 2A，4V
- 频率 - 跃迁：
20MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
TRANS PNP 80V 6A TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-247-3 |
1794 |
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STM |
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ST |
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TO-3P |
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STMicroelectronics |
2022+ |
TO-247-3 |
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STM |
23+ |
33500 |
询价 |
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