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2STW4466	文件：224.9 Kbytes Page：10 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Description The device is a NPN transistor manufactured in low voltage planar technology using base island layout. The resulting transistor shows good gain linearity coupled with low VCE(sat) behaviour. Recommended for 40 W to 70 W high fidelity audio frequency amplifier output stage. Features 文件：224.9 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STW4466	文件：164.62 Kbytes Page：9 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor 文件：164.62 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STW4466	文件：300 bytes Page：1 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor	ST 意法半导体	ST
2STW4466	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 6A TO247-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STW4466_08	文件：164.62 Kbytes Page：9 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor 文件：164.62 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
2STW4466
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 2A，4V
频率 - 跃迁：
20MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
TRANS NPN 80V 6A TO247-3

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