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2STF2220 | High Gain Low Voltage PNP Power Transistor Description ThedeviceinaPNPtransistormanufacturedusingnew“PB-HDC”(PowerBipolarHighDensityCurrent)technology.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancescoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■VerylowCollectortoEmittersaturationvoltage ■ | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
2STF2220 | High gain Low Voltage PNP power transistor | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
2STF2220 | High Gain Low Voltage PNP Power Transistor; | STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | ST | |
2STF2220 | Package：TO-243AA；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 20V 1.5A SOT89-3 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
High gain Low Voltage PNP power transistor | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号：
2STF2220
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 150mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，2V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89-3
- 描述：
TRANS PNP 20V 1.5A SOT89-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
SOT-89 |
4500 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
20+ |
SOT-89 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
SOT-89 |
504698 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ST |
24+ |
SOT-89TO-243 |
7500 |
询价 | |||
2017+ |
SOT-89 |
6528 |
只做原装正品假一赔十! |
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ST |
19+ROHS |
SOT-89 |
12238 |
原装正品现货,可开发票,假一赔十 |
询价 | ||
ST |
2447 |
SOT-89 |
100500 |
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STM |
1809+ |
SOT-89-3 |
3675 |
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22+ |
NA |
3000 |
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ST/意法 |
23+ |
SOT89 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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