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2STL1525	文件：144.56 Kbytes Page：8 Pages	Low voltage high performance NPN power transistor Description ThedeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnew“PB-HCD”(powerbipolarhighcurrentdensity)technology.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancescoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollector-emittersaturationvoltage ■Hig	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2STL1525	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 5A TO92L	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2STL1525-AP	文件：144.56 Kbytes Page：8 Pages	Low voltage high performance NPN power transistor Description ThedeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnew“PB-HCD”(powerbipolarhighcurrentdensity)technology.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancescoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollector-emittersaturationvoltage ■Hig	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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Low voltage high performance NPN power transistor

Description ThedeviceisaNPNtransistormanufacturedusingnew“PB-HCD”(powerbipolarhighcurrentdensity)technology.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancescoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollector-emittersaturationvoltage ■Hig

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 5A TO92L

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Low voltage high performance NPN power transistor

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产品属性

产品编号：
2STL1525
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 40mA，3.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92L
描述：
TRANS NPN 25V 5A TO92L

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