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2STR1230	文件：194.9 Kbytes Page：10 Pages	Low voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is a NPN transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage. The complementary PNP is the 2STR2230. General features ■ Very 文件：194.9 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STR1230	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low voltage fast-switching NPN power transistor	ST 意法半导体	ST
2STR1230	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 1.5A SOT23-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
2STR1230
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
850mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 500mA，2V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 30V 1.5A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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