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2STR2230	文件：185.66 Kbytes Page：9 Pages	Low voltage fast-switching PNP power transistor Description ThedeviceisaPNPtransistormanufacturedusingnew“PB-HCD”(powerbipolarhighcurrentdensity)technology.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancescoupledwithverylowsaturationvoltage. Features •Verylowcollector-emittersaturationvoltage •Hig	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
2STR2230	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 1.5A SOT23-3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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Low voltage fast-switching PNP power transistor

Description ThedeviceisaPNPtransistormanufacturedusingnew“PB-HCD”(powerbipolarhighcurrentdensity)technology.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancescoupledwithverylowsaturationvoltage. Features •Verylowcollector-emittersaturationvoltage •Hig

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Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 1.5A SOT23-3

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产品属性

产品编号：
2STR2230
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
170 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 30V 1.5A SOT23-3

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更多2STR2230供应商更新时间2025-7-22 13:36:00

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