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2STL2580	文件：369.49 Kbytes Page：14 Pages	High voltage fast switching NPN power transistor Description This device is a high voltage fast-switching NPN power transistor. It is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching s 文件：369.49 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STL2580	文件：300 bytes Page：1 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor This device is a high voltage fast-switching NPN power transistor. It is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.\nIt uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while mai High voltage capability\nFast switching speed;	ST 意法半导体	ST
2STL2580	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1A TO92MOD	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STL2580-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1A TO92MOD	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
2STL2580
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 250mA，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92MOD
描述：
TRANS NPN 400V 1A TO92MOD

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