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2STA2120	文件：161.33 Kbytes Page：8 Pages	High power PNP epitaxial planar bipolar transistorl Description The device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour. Features ■ High breakdown voltage VCEO = 250 V ■ Complementary to 2STC5948 ■ Fast-switching speed ■ Typ 文件：161.33 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STA2120	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 250V 17A TO3P	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
2STA2120
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS PNP 250V 17A TO3P

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