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2STC2510	文件：95.67 Kbytes Page：7 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Description The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour. Features ■ High breakdown voltage VCEO = 100 V ■ Complementary to 2STA2510 ■ Fast-switching speed ■ Typ 文件：95.67 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STC2510	文件：300 bytes Page：1 Pages	High power NPN epitaxial planar bipolar transistor	ST 意法半导体	ST
2STC2510	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 25A TO3P	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
2STC2510
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1.2A，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 12A，4V
频率 - 跃迁：
20MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS NPN 100V 25A TO3P

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