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2ST501T	文件：277.36 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage • High DC Current Gain • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Audio power amplifiers • Relay & solenoid drivers • Motor controls • General purpose power amplifiers 文件：277.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2ST501T	文件：154.14 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2ST501T is a High Voltage NPN silicon transistor in monolithic special Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. ■ HIGH VOLTAGE SPECIAL DARLINGTON STRUCTURE ■ VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY ■ HIGH OPERATION JUNCTION TEMPERATURE ■ HIGH DC CURRENT GAIN A 文件：154.14 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2ST501T	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
2ST501T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 350V 4A TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
2ST501T
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 2mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 2A，2V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 350V 4A TO220

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更多2ST501T供应商更新时间2025-10-4 23:00:00

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