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2STBN15D100T4	文件：109.19 Kbytes Page：7 Pages	Low voltage NPN power Darlington transistor Description The device is manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Application ■ Linear an 文件：109.19 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STBN15D100T4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
2STBN15D100T4
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.3V @ 4mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK（TO-263）
描述：
TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK

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