2ST501T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2ST501T |
| 参数属性 | 2ST501T 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 350V 4A TO220 |
| 功能描述 | HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
154.14 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-22 11:01:00 |
| 人工找货 | 2ST501T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2ST501T规格书详情
2ST501T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由意法半导体集团制造生产的2ST501T晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
DESCRIPTION
The 2ST501T is a High Voltage NPN silicon transistor in monolithic special Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package.
■ HIGH VOLTAGE SPECIAL DARLINGTON STRUCTURE
■ VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY
■ HIGH OPERATION JUNCTION TEMPERATURE
■ HIGH DC CURRENT GAIN
APPLICATIONS
■ DRIVER FOR SOLENOID, RELAY AND MOTOR
产品属性
更多- 产品编号：
2ST501T
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 2mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 2A，2V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
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