2ST501T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2ST501T |
| 参数属性 | 2ST501T 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 350V 4A TO220 |
| 功能描述 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
277.36 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
| 中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-22 11:01:00 |
| 人工找货 | 2ST501T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2ST501T规格书详情
DESCRIPTION
• Low Collector Saturation Voltage
• High DC Current Gain
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Audio power amplifiers
• Relay & solenoid drivers
• Motor controls
• General purpose power amplifiers
产品属性
- 产品编号：
2ST501T
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 2mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 2A，2V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
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