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2SC5810	文件：134.13 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications StrobeApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.1A) •Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.17V(max) •High-speedswitching:tf=85ns(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5810	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType

High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications StrobeApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.1A) •Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.17V(max) •High-speedswitching:tf=85ns(typ.)

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东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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更多2SC5810(T2LXG,ZF)供应商更新时间2024-6-25 18:30:00

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