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2SC5810	文件：134.13 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.17 V (max) • High-speed switching: tf = 85 ns (typ.) 文件：134.13 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5810	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5810	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：DC/DC converters / Mobile equipment power supplies\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 1 A \nCollector Current ICP 2 A \nCollector power dissipation (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 2 W \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC5826	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	ROHM 罗姆上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	ROHM
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技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Low Satulation Voltage
VCEO(Max)(V)：
50
IC(Max)(A)：
1
hFE(Min)：
400
hFE(Max)：
1000
VCE(sat)(Max)(V)：
0.17
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
PW-Mini
Width×Length×Height(mm)：
4.6 x 4.2 x 1.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2SC5810	TOSHIBA/东芝	2019+	SOT89	36000	原盒原包装可BOM配套	询价
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更多2SC5810供应商更新时间2026-4-17 15:08:00

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