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2SC5810中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SC5810

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

文件大小

1.58274 Mbytes

页面数量

73

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-13 23:00:00

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2SC5810规格书详情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

产品属性

  • 型号:

    2SC5810

  • 功能描述:

    MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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