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深圳市勤思达科技有限公司

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深圳市科芯源微电子有限公司

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深圳雄芯伟创科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市富芯乐电子科技有限公司

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深圳市胜彬电子有限公司

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2SD1047 深圳市中亿伟业电子有限公司 0755-83232593

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2SD1047功能描述:两极晶体管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SD1047D制造商:MOSPEC 制造商全称:Mospec Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR

2SD1047-E制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3PB

2SD1047F功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-186VAR

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2SD1047P-E功能描述:TRANS NPN 140V 12A TO-3PB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

产品属性

  • 产品编号：

    2SD1047

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    管件

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    700mV @ 700mA，7A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 1A，5V

  • 频率 - 跃迁：

    20MHz

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供应商器件封装：

    TO-3P

  • 描述：

    TRANS NPN 140V 12A TO3P

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