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2SD596	文件：249.87 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD596 is designed for use in small type equipment especially recommended for hybrid integrated circuit and other applications. FEATURES • Micro package. • High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = 1.0 V, IC = 100 mA) • Complementary to NEC 2SB624 PNP Transistor. 文件：249.87 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD596	文件：372.83 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD 文件：372.83 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD596	文件：761.78 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High DC Current gain. ● Complimentary to 2SB624 文件：761.78 Kbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SD596	文件：849.14 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High DC Current gain. ● Complimentary to 2SB624 文件：849.14 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD596	文件：37.84 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High DC Current gain. ● Complimentary to 2SB624 文件：37.84 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD596	文件：264.94 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DV*；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Micro package. ● Complementary to 2SB624 PNP Transistor. ● High DC current gain hFE:200TYP.(VCE=1.0V,IC=100mA) APPLICATIONS ● Audio frequency general purpose amplifier applications. 文件：264.94 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SD596	文件：327.96 Kbytes Page：3 Pages	丝印：DV4；Package：SOT-23；0.7A , 30V NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High DC Current gain • Complementary to 2SB624 文件：327.96 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD596	文件：1.27678 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Features High hFE, complementary pair with 2SB624. Applications Audio frequency amplifier application. 文件：1.27678 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD596	文件：978.48 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DV1；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Micro package ● Complementary to 2SB624 PNP Transistor ● High DC current gain hFE:200TYP.(VCE=1.0V,IC=100mA) APPLICATIONS ● Audio frequency general purpose amplifier applications 文件：978.48 Kbytes 页数：4 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD596	文件：335.95 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors ■ Features ● High DC Current gain. ● Complimentary to 2SB624 文件：335.95 Kbytes 页数：2 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE

晶体管资料

型号：
2SD596
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.7A
最大工作频率：
170MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCW65,BCS66,BCX19,3DG84B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
170000000
atest：
0.7
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
25
IC @25 °C (A)：
0.7
VCE (sat) (V)：
0.6
hFE：
110-400
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.17
Cob (Typical) (pF)：
12

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