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2SD2012	文件：165.91 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) AudioFrequencyPowerAmplifierApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.)(IC=2A/IB=0.2A) •Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD2012	文件：228.74 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The2SD2012isasiliconNPNpowertransistorhousedinTO-220Finsulatedpackage.Itisintededforpowerlinearandswitchingapplications. ■HIGHDCCURRENTGAIN ■LOWSATURATIONVOLTAGE ■INSULATEDPACKAGEFOREASYMOUNTING APPLICATIONS ■GENERALPURPOSEPOWERAMPLIFIERS ■G	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
2SD2012	文件：795.84 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Power Transistors Features ·HighDCCurrentGain:hFE(1)=100(Min.) ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.) ·HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25OC) ·LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ·EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ·	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD2012	文件：83.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2012	文件：1.2258 Mbytes Page：3 Pages	TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifierapplications ●HighDCcurrentgain ●Lowsaturationvoltage ●Highpowerdissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD2012	文件：1.01355 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),Hightotalpowerdissipation,complementarypairwith2SB1375. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD2012	文件：1.49978 Mbytes Page：4 Pages	Marking：2SD2012；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighDCCurrentGain LowSaturationVoltage HighPowerDissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD2012	文件：203.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2012	文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD2012	文件：205.36 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

产品属性

产品编号：
2SD2012
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F
描述：
TRANS NPN 60V 3A TO220F

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