首页>2SD2012>规格书详情

2SD2012中文资料PDF规格书

2SD2012
厂商型号

2SD2012

参数属性

2SD2012 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 3A TO220F

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

文件大小

83.58 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-5-31 20:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    2SD2012

  • 别名:

    2SD2012三极管、2SD2012晶体管、2SD2012晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    3MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍数:

    β=100-320

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    60

  • htest:

    3000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    25

2SD2012规格书详情

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Complement to type 2SB1366

·Low collector saturation voltage

·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃)

APPLICATIONS

·Audio frequency power amplifier and general purpose switching applications

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2012

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3A TO220F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
TOSHIBA/东芝
24+
TO220F
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
CJ(江苏长电/长晶)
23+
TO220
6000
诚信服务,绝对原装原盘
询价
ST
12+
TO2200F
850
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
TOSHIBA
1844+
TO-220F
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
TOSHIBA/东芝
23+
TO220F
9800
全新原装现货,假一赔十
询价
长电
21+
TO-220F
49384
原装现货假一赔十
询价
TOS
23+
TO-220F
20000
专做原装正品,假一罚百!
询价
TOSHIBA(东芝)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
TOSHIBA/东芝
24+
TO-220
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价