2SD2012分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SD2012 |
| 参数属性 | 2SD2012 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F |
| 功能描述 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
228.74 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-22 18:02:00 |
| 人工找货 | 2SD2012价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2SD2012三极管、2SD2012晶体管、2SD2012晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
3MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,
- 最大耗散功率：
25W
- 放大倍数：
β=100-320
- 图片代号：
B-45
- vtest：
60
- htest：
3000000
- atest：
3
- wtest：
25
2SD2012规格书详情
2SD2012属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由意法半导体集团制造生产的2SD2012晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
DESCRIPTION
The 2SD2012 is a silicon NPN power transistor housed in TO-220F insulated package. It is inteded for power linear and switching applications.
■ HIGH DC CURRENT GAIN
■ LOW SATURATION VOLTAGE
■ INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING
APPLICATIONS
■ GENERAL PURPOSE POWER AMPLIFIERS
■ GENERAL PURPOSE SWITCHING
产品属性
更多- 产品编号：
2SD2012
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220F
- 描述：
TRANS NPN 60V 3A TO220F
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
TO-220-3 整包 |
9350 |
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