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2SD2012	文件：127.21 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
2SD2012	文件：131.47 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD2012	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
2SD2012FM	文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Power Amplifier Applications AudioFrequencyPowerAmplifierApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.)(IC=2A/IB=0.2A) •Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD2012_03	文件：127.21 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
2SD2012_06	文件：131.47 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD2012_09	文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD2012-BP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A TO220AB	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

产品属性

产品编号：
2SD2012
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F
描述：
TRANS NPN 60V 3A TO220F

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