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2SD468	文件：30.4 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial 1. Low frequency power amplifier 2. Complementary pair with 2SB562 文件：30.4 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD468	文件：97.24 Kbytes Page：3 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER FEATURES * Low frequency power amplifier * Complement to 2SB562 文件：97.24 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD468	文件：250.66 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Low Frequency Power Amplifier. • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1 • Complementary pair with 2SB562 • Halogen free avai 文件：250.66 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SD468	文件：157.18 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial • Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB562 文件：157.18 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD468	文件：124.03 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.9 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 25 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：124.03 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SD468	文件：922.41 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. Features Complementary pair with 2SB562. Applications Low frequency power amplifier. 文件：922.41 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD468	文件：406.51 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：406.51 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SD468	文件：117.24 Kbytes Page：4 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：117.24 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD468	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
2SD468	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号晶体管	ST 意法半导体	ST

晶体管资料

型号：
2SD468
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
190MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC338,BC378,BC635,BC738,2SC2236,2SC4483,2SD1207,2SD1331,3DA1150B,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍数：
图片代号：
A-12
vtest：
25
htest：
190000000
atest：
1
wtest：
0.9

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
0.9
IC(A)：
1
VCBO(V)：
25
VCEO(V)：
20
VEBO(V)：
5
hFEMin：
85
hFEMax：
240
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)@IC(A)：
0.8
VCE(sat)@IB(A)：
0.08
Package：
TO-92MOD

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