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2SD965	文件：39.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency power amplification For stroboscope ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-voltage power supply. 文件：39.29 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD965	文件：88.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency power amplification For stroboscope ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-voltage power supply. 文件：88.09 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD965	文件：57.35 Kbytes Page：4 Pages	LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR FEATURES * Collector current up to 5A * UTC 2SD965: Collector-Emitter voltage up to 20 V * UTC 2SD965A: Collector-Emitter voltage up to 30 V APPLICATIONS * Audio amplifier * Flash unit of camera * Switching circuit 文件：57.35 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD965	文件：833.9 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistor FEATURES : * Audio Amplifier * Flash unit of camera * Switching circuit 文件：833.9 Kbytes 页数：2 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD965	文件：154.03 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D965；Package：SOT-89；LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR FEATURES ● Collector current up to 5A ● Collector-Emitter voltage up to 20V APPLICATIONS ● Audio amplifier ● Flash unit of camera ● Switching circuit 文件：154.03 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SD965	文件：213.26 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use as AF output amplifier and flash unit. 文件：213.26 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SD965	文件：340.86 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Collector Power Dissipation and Current Mini Power Type Package 文件：340.86 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SD965	文件：291.8 Kbytes Page：3 Pages	isc NPN Silicon Transistor FEATURES ·Low collector to emitter saturation voltage Vce(sat) ·Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-voltage power supply 文件：291.8 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD965	文件：1.6111 Mbytes Page：4 Pages	S O T-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage ● Large Collector Power Dissipation and Current ● Mini Power Type Package 文件：1.6111 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD965	文件：51.85 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type ■ Features ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage ● Large Collector Power Dissipation and Current ● Mini Power Type Package 文件：51.85 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

PCM(W)：
0.75
IC(A)：
5
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
20
VEBO(V)：
7
hFEMin：
230
hFEMax：
800
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
3
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
SOT-89

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更多2SD965供应商更新时间2026-4-17 14:00:00

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