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2SC5227

High Gain Bandwidth Product

DESCRIPTION • High Gain Bandwidth Product fT = 7 GHz TYP. • High Gain, Low Noise Figure |S21e|2 = 12 dB TYP., NF = 1.0 dB TYP @ f = 1 GHz APPLICATIONS • Designed for VHF~UHF wideband low noise amplifier applications.

文件:266.84 Kbytes 页数:5 Pages

ISC

无锡固电

2SC5227A

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ

文件:69.13 Kbytes 页数:6 Pages

SANYO

三洋

2SC5227A

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : |S21e|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ

文件:346.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC5227A

RF Transistor 10V, 70mA,fT=7GHz, NPN Single CP

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : |S21e|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ

文件:346.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC5227A-4-TB-E

RF Transistor 10V, 70mA,fT=7GHz, NPN Single CP

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : |S21e|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ

文件:346.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC5227A-4-TB-E

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : |S21e|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ

文件:346.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC5227A-5-TB-E

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : |S21e|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ

文件:346.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC5227A-5-TB-E

RF Transistor 10V, 70mA,fT=7GHz, NPN Single CP

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single CP Features • Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) • High gain : |S21e|2=12dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=7GHz typ

文件:346.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC5228

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amp Applications???

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). • High gain : |S21e|2=13.5dB typ (f=1GHz). • High cutoff frequency : fT=7GHz typ.

文件:123.52 Kbytes 页数:4 Pages

SANYO

三洋

2SC5229

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amp Applications???

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). • High gain : |S21e|2=10.5dB typ (f=1GHz). • High cutoff frequency : fT=6.5GHz typ. • Medium power operation : NF=1.7dB typ (f=1GHz). (VCE=8V, IC=40mA) : |S21e|2=11dB typ (f=1GHz).

文件:127.21 Kbytes 页数:4 Pages

SANYO

三洋

晶体管资料

  • 型号:

    2SC5288

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_超高频/特高频 (UHF)_SHF

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    9V

  • 最大电流允许值:

    0.15A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-17

  • vtest:

    9

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.15

  • wtest:

    0

详细参数

  • 型号:

    2SC52

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
23+
SOT143
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
NEC
24+
SOT-143SOT-23-4
6200
新进库存/原装
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SOT-143
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NA
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振宏微专业只做正品,假一罚百!
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NEC
26+
原厂原封装
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RENESAS/瑞萨
2511
SOT143
360000
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RENESAS/瑞萨
22+
SOT143
20000
只做原装
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NEC
2016+
SOT143
2670
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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NEC
20+
SOT143
32970
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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NEC
23+
SOT-23
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NEC
24+
SOT143
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
更多2SC52供应商 更新时间2026-3-10 20:00:00