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2SC5289

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

The 2SC5289 is ideal for the final stage amplifier in 1.9G Hz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 27 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61

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NEC

瑞萨

2SC5289

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

The 2SC5289 is ideal for the final stage amplifier in 1.9G Hz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 27 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61

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RENESAS

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2SC5289

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

Renesas

瑞萨

2SC5289-T1

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

The 2SC5289 is ideal for the final stage amplifier in 1.9G Hz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 27 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61

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RENESAS

瑞萨

晶体管资料

  • 型号:

    2SC5289

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_超高频/特高频 (UHF)_SHF

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    9V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-17

  • vtest:

    9

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.3

  • wtest:

    0

详细参数

  • 型号:

    2SC5289

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

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