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2SC5336	文件：49.2 Kbytes Page：6 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER FEATURES • High gain \| S21\|2= 12 dB TYP, @f = 1 GHz, VCE= 10 V, Ic = 20 mA • New power mini-mold package version of a 4-pin type gain-improved on the 2SC3357 文件：49.2 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5336	文件：1.035339 Mbytes Page：7 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4-PIN POWER MINIMOLD FEATURES • High gain: \|S21e\|2 = 12 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz • 4-pin power minimold package with improved gain from the NE85634 / 2SC3357 文件：1.035339 Mbytes 页数：7 Pages	CEL	CEL
2SC5336	文件：180.36 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4-PIN POWER MINIMOLD FEATURES • High gain: \|S21e\|2 = 12 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz • 4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC3357 文件：180.36 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5336	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC5336-T1	文件：180.36 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4-PIN POWER MINIMOLD FEATURES • High gain: \|S21e\|2 = 12 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz • 4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC3357 文件：180.36 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5336_15	文件：180.36 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4-PIN POWER MINIMOLD 文件：180.36 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5336-A	文件：137.58 Kbytes Page：2 Pages	RF & Microwave device 文件：137.58 Kbytes 页数：2 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5336-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	CEL	CEL
2SC5336-T1-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	CEL	CEL

晶体管资料

型号：
2SC5336
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）_CATV
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
6.5GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
20
htest：
6500000000
atest：
0.1
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC5336
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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