2SC5336分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5336 |
| 参数属性 | 2SC5336 封装/外壳为TO-243AA；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 |
| 功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
180.36 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 17:46:00 |
| 人工找货 | 2SC5336价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5336规格书详情
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 4-PIN POWER MINIMOLD
FEATURES
• High gain: |S21e|2 = 12 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz
• 4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC3357
产品属性
- 产品编号：
2SC5336-T1-AZ
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
6.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.8dB @ 1GHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
1.2W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
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