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2SC3357C	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	丝印：RE；Package：SOT-89；NPN SILICON RF TRANSISTOR Feature High gain:︱S21e︱2 TYP. Value is 10dB @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Low noise: NF TYP. Value is 1.7dB @ VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT (TYP.) : TYP. Value is 6.5GHz @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz 文件：575.86 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357D	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	丝印：RE；Package：SOT-89；NPN SILICON RF TRANSISTOR Feature High gain:︱S21e︱2 TYP. Value is 10dB @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Low noise: NF TYP. Value is 1.7dB @ VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT (TYP.) : TYP. Value is 6.5GHz @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz 文件：575.86 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357E	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	丝印：RE；Package：SOT-89；NPN SILICON RF TRANSISTOR Feature High gain:︱S21e︱2 TYP. Value is 10dB @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Low noise: NF TYP. Value is 1.7dB @ VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT (TYP.) : TYP. Value is 6.5GHz @ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz 文件：575.86 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357-E	文件：665.14 Kbytes Page：4 Pages	丝印：RE；Package：SOT-89；NPN Transistors ■ Features ● Low noise and high gain ● High power gain ● Large Ptot 文件：665.14 Kbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SC3357-E-HF	文件：992.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors ■ Features ● Low noise and high gain ● High power gain ● Large Ptot ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 文件：992.93 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3357-F	文件：665.14 Kbytes Page：4 Pages	丝印：RF；Package：SOT-89；NPN Transistors ■ Features ● Low noise and high gain ● High power gain ● Large Ptot 文件：665.14 Kbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SC3357-F-HF	文件：992.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors ■ Features ● Low noise and high gain ● High power gain ● Large Ptot ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 文件：992.93 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3357-HF	文件：992.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors ■ Features ● Low noise and high gain ● High power gain ● Large Ptot ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 文件：992.93 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3357-H-HF	文件：992.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors ■ Features ● Low noise and high gain ● High power gain ● Large Ptot ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 文件：992.93 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3357-T1	文件：218.19 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD FEATURES • Low noise and high gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 7.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz NF = 1.8 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz • High power gain : MAG = 10 dB TYP. @ IC = 40 mA, f = 1 GHz • Large Ptot : Ptot = 1.2 W (Mounted on 16 cm2 × 文件：218.19 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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晶体管资料

型号：
2SC3357
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
6.5GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3607,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
20
htest：
6500000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

ptot(W)：
1.2
IC(A)：
0.1
Vcbo(V)：
20
Vceo(V)：
12
Vebo(V)：
3
Icbo(uA)：
1
Icbo(V)：
10
Vce(sat)(V)：
10
Vce(sat)Ic(mA)：
20
hFE：
50-300
hFEvce(v)：
10
hFEIc(mA)：
20
ftVce(v)：
10
ftIc/Ie(mA)：
7
PackageOutline：
SOT-89
Arrays：
BCE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC3357	NEC	25+	SOT-23	32000	NEC全新特价2SC3357即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市能元时代电子有限公司	2SC3357	NEC	23+	SOT89	28650	主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	2SC3357	NEC	25+	SOT-89	6500	十七年专营原装现货一手货源,样品免费送	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	2SC3357	NK/南科功率	9420	SOT-89	36520	国产南科平替供应大量	询价
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深圳市弘为电子有限公司	2SC3357	NEC	17+	SOT89	100000	RF丝印，原装现货，假一罚十	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SC3357	NEC	15+	SOT-89	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SC3357		24+		2000	全新	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SC3357	RENESAS	23+	SOT-89	30000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	2SC3357	NEC	13+	NA	19238	原装分销	询价

更多2SC335供应商更新时间2026-1-18 14:14:00

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