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2SC3357-T1-A	文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 文件：216.06 Kbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
2SC3358	文件：31.96 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：31.96 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3358_15	文件：72.29 Kbytes Page：2 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER 文件：72.29 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3354	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type Transistor For high-frequency amplification/oscillation/mixing■ ● Optimum for high-density mounting.\n● Allowing supply with the radial taping.\n● High transition frequency fT.;	Panasonic 松下	Panasonic
2SC3356	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Silicon Bipolars NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor (Same as NE85633)	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC3355	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF Tranasitor	UTC 友顺	UTC
2SC3356-T1B-R24-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23	CEL	CEL
2SC3356-T1B-R25-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3	CEL	CEL
2SC3357-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	CEL	CEL

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技术参数

ptot(W)：
1.2
IC(A)：
0.1
Vcbo(V)：
20
Vceo(V)：
12
Vebo(V)：
3
Icbo(uA)：
1
Icbo(V)：
10
Vce(sat)(V)：
10
Vce(sat)Ic(mA)：
20
hFE：
50-300
hFEvce(v)：
10
hFEIc(mA)：
20
ftVce(v)：
10
ftIc/Ie(mA)：
7
PackageOutline：
SOT-89
Arrays：
BCE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC3357	NEC	25+	SOT-23	32000	NEC全新特价2SC3357即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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