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2SC3357-A	文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION	CEL California Eastern Labs	CEL
2SC3357-A	文件：137.58 Kbytes Page：2 Pages	RF & Microwave device	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3357-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	CEL California Eastern Labs	CEL
2SC3357B	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis10dB@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.7dB@VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT(TYP.):TYP.Valueis6.5GHz@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357C	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis10dB@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.7dB@VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT(TYP.):TYP.Valueis6.5GHz@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3357D	文件：575.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis10dB@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.7dB@VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz fT(TYP.):TYP.Valueis6.5GHz@VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

产品属性

产品编号：
2SC3357-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
6.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.8dB @ 1GHz
增益：
9dB
功率 - 最大值：
1.2W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89
描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

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