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2SC3357-T2	文件：77.51 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The2SC3357isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.Ithaslargedynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz N	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

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2SC3357-T2

文件：77.51 Kbytes

Page：8 Pages

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION The2SC3357isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.Ithaslargedynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=8.0dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz N

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

详细参数

型号：
2SC3357-T2
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

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更多2SC3357-T2供应商更新时间2024-5-20 16:30:00

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