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2SC3357-T1	文件：218.19 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD FEATURES •Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=7.5dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP.@VCE=10V,IC=40mA,f=1GHz •Highpowergain:MAG=10dBTYP.@IC=40mA,f=1GHz •LargePtot:Ptot=1.2W(Mountedon16cm2×	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3357-T1-A	文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION	CEL California Eastern Labs	CEL
2SC3357-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	CEL California Eastern Labs	CEL
2SC3357-T1-RF-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	CEL California Eastern Labs	CEL

更多2SC3357-T1供应商更新时间2025-4-22 16:24:00