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2SC3357-T1-A	文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 文件：216.06 Kbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
2SC3357-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	CEL	CEL
2SC3357-T1	文件：218.19 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD FEATURES • Low noise and high gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 7.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz NF = 1.8 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz • High power gain : MAG = 10 dB TYP. @ IC = 40 mA, f = 1 GHz • Large Ptot : Ptot = 1.2 W (Mounted on 16 cm2 × 文件：218.19 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3357-T1-A-RE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89	RENESAS 瑞萨上传：深圳市富利微电子科技有限公司	RENESAS
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更多2SC3357-T1-A供应商更新时间2025-12-24 11:01:00