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2SC3357-T1-A	文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION	CEL California Eastern Labs	CEL
2SC3357-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	CEL California Eastern Labs	CEL
2SC3357-T1	文件：218.19 Kbytes Page：10 Pages	NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION3-PINPOWERMINIMOLD FEATURES •Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=7.5dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP.@VCE=10V,IC=40mA,f=1GHz •Highpowergain:MAG=10dBTYP.@IC=40mA,f=1GHz •LargePtot:Ptot=1.2W(Mountedon16cm2×	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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2SC3357-T1-A

文件：216.06 Kbytes

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NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

CEL

California Eastern Labs

CEL

2SC3357-T1-A

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

CEL

California Eastern Labs

CEL

2SC3357-T1

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Page：10 Pages

NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION3-PINPOWERMINIMOLD

FEATURES •Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=7.5dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP.@VCE=10V,IC=40mA,f=1GHz •Highpowergain:MAG=10dBTYP.@IC=40mA,f=1GHz •LargePtot:Ptot=1.2W(Mountedon16cm2×

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

产品属性

产品编号：
2SC3357-T1-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
6.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.8dB @ 1GHz
增益：
10dB
功率 - 最大值：
1.2W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89
描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3357-T1-A供应商更新时间2025-7-1 14:22:00

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